在这家韩国半导体制造商的博客文章中，三星再次重申其HBM4内存目前正在开发中，预计将于2025年首次亮相。该公司当前的HBM产品组合包括HBM3E“Shinebolt”作为顶级产品，具有使用24GbDRAM的高达36GB的容量和高达9.8Gbps的传输速度。该内存技术支持高达12Hi的堆栈，并采用2.5D封装。
三星HBM产品组合的下一次演进将以HBM4的形式出现。这种特定内存产品的代号目前尚不清楚，但它应该将事情推向更大规模。从规格开始，三星的HBM4内存预计将包括多达16-Hi堆栈，如果我们使用相同的24Gb模块，与当前峰值左右的峰值相比，我们可以以非常快的速度获得高达256GB的HBM4容量。10Gbps。
首先，有“细分”。在早期市场，硬件的多功能性很重要，但在未来，随着围绕杀手级应用的服务的成熟，硬件基础设施将不可避免地经历一个针对每个服务进行优化的过程。三星电子计划通过统一核心芯片以及多样化封装和基础芯片(例如8H、12H和16H)来应对。
韩国三星(机器翻译)
目前，NVIDIA的BlackwellB100/B200和AMD的InstinctMI300GPU提供高达192GB的HBM容量。前者采用较新的HBM3E标准，而后者则采用HBM3DRAM解决方案。两种GPU均具有8个HBM站点，每个站点都有12-Hi堆栈，因此如果您将它们升级到较新的16-Hi堆栈，则可以获得高达256GB的容量。这甚至没有考虑HBM4中可用的更密集的DRAM模块(24Gb+)。
如果说解决电源墙的第一个创新是从下一代HBM4开始引入使用逻辑流程的基础芯片开始的话，那么第二个创新将在从当前的2.5DHBM逐渐演进到3DHBM时出现。随着DRAM单元和逻辑的发展变得更加混合(如HBM-PIM)，预计第三次创新将会出现。目前我们正在与客户和合作伙伴讨论实现这些创新，我们将积极规划和准备打开市场。
韩国三星(机器翻译)
此外，HBM4背后的另一项关键技术是3D封装的利用。最近提到JEDEC放宽了对HBM4内存的要求，允许公司利用现有的键合技术。下一代3D封装还可以克服与混合键合相关的一些定价问题。AMD预计将通过MI350和MI370系列更新其MI300系列，这些系列预计将增加容量，而一旦HBM4供应稳定，未来更快的变体，NVIDIA可能会更新其BlackwellGPU。